Kingston anunciaba esta misma semana que va a lanzar al mercado sus primeras memorias DDR3 pensadas para ordenadores portátiles, las HyperX DDR3 SO-DIMM XMP-Ready, las cuales usan el chip móvil de Intel, Cantiga.

Erik Reid, el director de Marketing del Grupo de Plataformas Móviles de Intel confesaba la estrecha colaboración entre Kingston e Intel para el desarrollo de productos como estas memorias: “Kingston ha trabajado estrechamente con Intel para certificar la nueva memoria HyperX SO-DIMM y hacer que DDR3 sea capaz de soportar XMP, el sistema que utiliza el procesador Intel® Centrino™. Valoramos el esfuerzo que Kingston ha realizado en el área de rendimiento móvil extremo y esperamos que los gamers estén encantados con los desarrollos de rendimiento inigualable que ofrece XMP a la nueva generación de notebooks“.

Por su parte, Jordi García, de Kingston, confesaba que estas memorias aportarán un mayor rendimiento a los ordenadores portátiles para poder jugar a juegos: “Los usuarios de notebook DDR3 pueden ahora obtener los mismos beneficios de rendimiento extremo que los de ordenadores de sobremesa que han disfrutado de las memorias HyperX durante años, por ejemplo la baja latencia y voltaje. Mejorando sus notebooks con Kingston DDR3 XMP SO-DIMMs, los usuarios pueden disfrutar inmediatamente de una experiencia de juego más rápida y gratificante.” Eso sí, esta mejora se paga y es que un pack de 4 Gb de memoria DDR3 a 1066 mHz tiene un coste de 98,52€ más IVA.

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La próxima nueva arquitectura de procesadores de Intel es la primera en incluir el controlador de memoria en el mismo chip, pero al parecer no permitirá demasiada flexibilidad en cuanto al tipo de memoria ya que usar memorias DDR de más de 1,65V podrían dañar para siempre un CPU Core i7 (Nehalem).

Esto al menos con el chipset X58, que se lanzará junto con los primeros Nehalem en los próximos meses. Respecto a por qué esto es un problema, la respuesta es que la mayoría de los kits de memoria de alto rendimiento de OCZ, Corsair y otras marcas usan más de 1,65V (El Corsair Dominator usa 2,1V precisamente), lo cual los hace totalmente inútiles para usar junto con un chip Nehalem. Además afectaría a la capacidad de overclocking de estas plataformas.

Esta información, aunque no fue filtrada ni confirmada por Intel, resulta bastante verídica dada la fuente que es la foto de una paca madre Asus con chispet X58 donde se puede ver la leyenda siguiente: “De acuerdo las especificaciones de Intel, los módulos DIMM con voltajes superiores a 1,65V podrían dañar el CPU permanentemente. Recomendamos que instaléis módulos DIMM con voltaje menor a 1,65V”. Muchos fabricantes de memoria ya anunciaron kits con voltajes soportados por Nehalem, así que los que se actualicen al nuevo CPU de Intel tendrán que cambiar la memoria también.

Habrá que ver si esto no incide negativamente en la adopción de los Core i7, al menos en el sector de entusiastas.

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Incluso con Internet Explorer 8 a la vuelta de la esquina y su beta 2 finalmente disponible y en circulación dede agosto de 2008, Microsoft no está dejando de lado al IE7. La compañía de Redmond empezó ofreciendo una solución para solventar una pérdida de memoria que afecta a Internet Explorer 7 mientras se ejecuta en un equipo bajo Windows XP, incluyendo Service Pack2 y SP3 y Windows Server 2003. El hotfix entregado está disponible exclusivamente para los precursores de Windows Vista y Windows Server 2008 y no para la más reciente de la versiones del sistema operativo de client y server de Windows. Al mismo tiempo, Microsoft proporciona sólo esta solución para IE7, y no hay nada sin embargo al respecto de IE8.

Esto va a todos aquellos que utilicen Windows XP o Windows Server 2003, y Windows Internet Explorer 7 instalado. “Después de ejecutar Internet Explorer 7 durante mucho tiempo, se notó que el rendimiento del sistema gradualmente disminuye. Además, Internet Explorer se vuelve inestable o genera “cuelgues”. Si utilizamos Performance Monitor (Perfmon.exe) para supervisar Internet Explorer, veremos que el proceso de Internet Explorer consume gran cantidad de bytes virtuales, ” afirmo la empresa.

La fuga de memoria es generada sólo por la cantidad de tiempo que IE7 se ejecuta de manera continua y no por cualquier otro factor. Microsoft ya tiene un hotfix para solventar esta pérdida de memoria causada por el componente Msctf.dll asociado al manejo de la asignación de memoria. Sin embargo, aplicando el hotfix KB943510 no se resuelve el problema descrito por Microsoft en el informe KB956625. Además del hotfix , Microsoft también ofrece una solución para resolver el problema.

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Estas llaves de memoria tiene un conector USB retráctil que ha ayudado a que se conviertan aún en más pequeñas.

Miden 3 x 1,5 x 0,5 cm y pesan 2,2 gramos. Un colgan permite llevarlas en el llavero.

Se venden en color gris, rosa y azul con capacidad de 1GB por 13,5€, y el de 2GB por 21,00€.

Web: www.elcorteingles.es

Colaborador: ElGrupoInformatico

Toshiba ha anunciado la comercialización de la nueva serie de memorias Flash con tecnología NAND de mayor capacidad del mercado. Estos nuevos chips disponen de una capacidad de hasta 16GB y han sido diseñados para su integración en dispositivos móviles, como cámaras fotográficas o teléfonos móviles.

El chip puede ser usado como memoria interna para todo tipo de aparatos móviles o ser integrado en una tarjeta de memoria para su uso como sistema de almacenamiento portátil. “El mercado de este tipo de chips está experimentando un gran crecimiento, debido a al éxito comercial de dispositivos móviles, como reproductores de audio portátiles, cámaras de fotos o teléfonos móviles multimedia, cuyos fabricantes buscan ofrecer cada vez más capacidad en dispositivos más pequeños”, ha recordado Toshiba.

Con 16 GB de capacidad, uno de estos chips puede almacenar más de 4000 canciones (4 MB de media por tema) y hasta 8000 fotografías (a 2MB de media cada una). Además cuenta con un controlador de funciones de serie, que permite la gestión de la escritura por bloques, corrección de errores y controladores de software.

Estas prestaciones permiten a los fabricantes simplificar los procesos necesarios para la integración de estas memorias en sus dispositivos móviles, “lo que se traduce en un menor coste de producción y en una reducción del tiempo de puesta en el mercado de nuevos productos”, asegura la compañía.